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El módulo IGBT es un dispositivo de potencia con las ventajas de un bajo voltaje de conducción, una gran capacidad de manejo de potencia y una alta frecuencia de conmutación.Pero tampoco se puede separar de las propiedades térmicas.Los puntos débiles de los módulos semiconductores de potencia son la sobretensión y el sobrecalentamiento.Si este calor no se gestiona de forma eficaz, puede provocar fallos en el equipo, reducción de la eficiencia y acortamiento de la vida útil.Sólo diseñando con precisión las características térmicas de los dispositivos y sistemas se puede garantizar el funcionamiento fiable a largo plazo del dispositivo y aprovechar plenamente su potencial. Esta es la gestión térmica de los IGBT.
La continua miniaturización y el rápido aumento de las potencias nominales de los IGBT tienen flujos de calor significativamente altos, que requieren una gestión térmica compleja.
Para los módulos, la tecnología de disipación de calor IGBT gira principalmente en torno al empaquetado y las iteraciones de conexión.La tecnología de conexión y empaquetado de módulos siempre gira en torno a la optimización continua de sustratos, placas DBC, soldadura, líneas de encuadernación y estructuras de disipación de calor.
Método de conexión entre chips: alambre/tira de aluminio → alambre de cobre → conexión plana
Estructura de disipación de calor: disipación de calor indirecta de un solo lado → refrigeración por agua directa de un solo lado → estructura de refrigeración por agua de doble cara.
Tablero y sustrato DBC: iteración del material, de A1203 → AIN → Si3N4, el material del sustrato se iterará de Cu a A1SiC.
Cuando funcionan los dispositivos de potencia IGBT, se genera una gran cantidad de calor debido a las pérdidas de estado de conducción y de conmutación.La ruta de disipación de calor de arriba a abajo es: chip → laminado cerámico revestido de cobre → sustrato → disipador de calor.Finalmente, con enfriamiento activo o pasivo, el disipador de calor y el aire eliminan el calor mediante convección y transferencia de calor por radiación.
Existe resistencia térmica en todo el proceso de conducción, que es el factor principal que afecta la disipación de calor de los módulos de potencia IGBT.Para mejorar el efecto de disipación de calor, el método más importante es reducir la resistencia térmica.